BSM100GB170DLCHOSA1

BSM100GB170DLCHOSA1

رقم القطعة: BSM100GB170DLCHOSA1
تصنيف المنتجات: وحدات IGBT
الشركة المصنعة: Infineon Technologies
الوصف: IGBT MOD 1700V 200A 960W
التغليف: Tray
حالة RoHS: نعم
العملة: USD

المواصفات

  • حالة القطعة Obsolete
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 125°C
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • الحزمة / العلبة Module
  • نوع IGBT -
  • تكوين Half Bridge
  • المدخلات Standard
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
  • المورد الجهاز الحزمة Module
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1700 V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 200 A
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 100A
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 200 µA
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 7 nF @ 25 V
  • الطاقة - الحد الأقصى 960 W