BSM50GB170DN2HOSA1

BSM50GB170DN2HOSA1

رقم القطعة: BSM50GB170DN2HOSA1
تصنيف المنتجات: وحدات IGBT
الشركة المصنعة: Infineon Technologies
الوصف: IGBT MOD 1700V 72A 500W
التغليف: Tray
حالة RoHS: نعم
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • حالة القطعة Obsolete
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • الحزمة / العلبة Module
  • درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
  • نوع IGBT -
  • تكوين Half Bridge
  • المدخلات Standard
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
  • المورد الجهاز الحزمة Module
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1700 V
  • الطاقة - الحد الأقصى 500 W
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 72 A
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 8 nF @ 25 V
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 50A