F475R07W2H3B51BPSA1
رقم القطعة:
F475R07W2H3B51BPSA1
تصنيف المنتجات:
وحدات IGBT
الشركة المصنعة:
Infineon Technologies
الوصف:
IGBT MODULE 650V 75A 250W
التغليف:
Tray
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
المواصفات
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- نوع IGBT -
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 1 mA
- المدخلات Standard
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 75 A
- الطاقة - الحد الأقصى 250 W
- تكوين Three Phase Inverter
- المورد الجهاز الحزمة Module
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 4.7 nF @ 25 V
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 37.5A