FF600R12IE4VBOSA1

FF600R12IE4VBOSA1

رقم القطعة: FF600R12IE4VBOSA1
تصنيف المنتجات: وحدات IGBT
الشركة المصنعة: Infineon Technologies
الوصف: PP, IHM I, XHP 1,7KV
التغليف: Bulk
حالة RoHS: نعم
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • المورد الجهاز الحزمة -
  • الحزمة / العلبة Module
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
  • المدخلات Standard
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 5 mA
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
  • نوع IGBT Trench Field Stop
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 600 A
  • تكوين Half Bridge Inverter
  • الطاقة - الحد الأقصى 3350 W
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 600A
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 37000 pF @ 25 V