FZ1000R33HE3C1NOSA1
رقم القطعة:
FZ1000R33HE3C1NOSA1
تصنيف المنتجات:
وحدات IGBT
الشركة المصنعة:
Infineon Technologies
الوصف:
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
التغليف:
Tray
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 5 mA
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تكوين Single Switch
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 3300 V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 1000 A
- المورد الجهاز الحزمة AG-IHVB130-3
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 190 nF @ 25 V
- الطاقة - الحد الأقصى 1600000 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 1kA