FZ2000R33HE4BOSA1
رقم القطعة:
FZ2000R33HE4BOSA1
تصنيف المنتجات:
وحدات IGBT
الشركة المصنعة:
Infineon Technologies
الوصف:
IGBT MOD IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
التغليف:
Tray
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
بي دي إف:
البيانات
المواصفات
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 5 mA
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تكوين Single Switch
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 3300 V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 2000 A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 280 nF @ 25 V
- الطاقة - الحد الأقصى 4200 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 2kA (Typ)
- المورد الجهاز الحزمة AG-IHVB190-3