GT10G131(TE12L,Q)

GT10G131(TE12L,Q)

رقم القطعة: GT10G131(TE12L,Q)
تصنيف المنتجات: IGBTs الفردية
الشركة المصنعة: Toshiba Semiconductor and Storage
الوصف: IGBT 400V 1W 8-SOIC
التغليف: Tape & Reel (TR)
حالة RoHS: نعم
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • حالة القطعة Obsolete
  • نوع التثبيت Surface Mount
  • الطاقة - الحد الأقصى 1 W
  • درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
  • نوع IGBT -
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • شرط الاختبار -
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 400 V
  • طاقة التبديل -
  • تيار المجمع النبضي (Icm) 200 A
  • الحزمة / العلبة 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • المورد الجهاز الحزمة 8-SOP (5.5x6.0)
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 4V, 200A
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 3.1µs/2µs