GT30J341,Q

GT30J341,Q

رقم القطعة: GT30J341,Q
تصنيف المنتجات: IGBTs الفردية
الشركة المصنعة: Toshiba Semiconductor and Storage
الوصف: IGBT 600V 59A TO-3P
التغليف: Tray
حالة RoHS: نعم
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • نوع التثبيت Through Hole
  • حالة القطعة Last Time Buy
  • وقت الاسترداد العكسي (trr) 50 ns
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • الحزمة / العلبة TO-3P-3, SC-65-3
  • تيار المجمع النبضي (Icm) 120 A
  • درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
  • الطاقة - الحد الأقصى 230 W
  • المورد الجهاز الحزمة TO-3P(N)
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
  • شرط الاختبار 300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 59 A
  • طاقة التبديل 800µJ (on), 600µJ (off)
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 80ns/280ns