HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

رقم القطعة: HGTG10N120BND
تصنيف المنتجات: IGBTs الفردية
الشركة المصنعة: onsemi
الوصف: IGBT NPT 1200V 35A TO-247-3
التغليف: Tube
حالة RoHS: نعم
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • حالة القطعة Obsolete
  • نوع التثبيت Through Hole
  • درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
  • الحزمة / العلبة TO-247-3
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
  • الطاقة - الحد الأقصى 298 W
  • وقت الاسترداد العكسي (trr) 70 ns
  • شحنة البوابة 100 nC
  • نوع IGBT NPT
  • المورد الجهاز الحزمة TO-247-3
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
  • تيار المجمع النبضي (Icm) 80 A
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 35 A
  • طاقة التبديل 850µJ (on), 800µJ (off)
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 23ns/165ns
  • شرط الاختبار 960V, 10A, 10Ohm, 15V