IGD01N120H2BUMA1

IGD01N120H2BUMA1

رقم القطعة: IGD01N120H2BUMA1
تصنيف المنتجات: IGBTs الفردية
الشركة المصنعة: Infineon Technologies
الوصف: IGBT 1200V 3.2A TO252-3
التغليف: Tape & Reel (TR)
حالة RoHS: نعم
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • حالة القطعة Obsolete
  • نوع التثبيت Surface Mount
  • نوع IGBT -
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
  • الحزمة / العلبة TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
  • المورد الجهاز الحزمة PG-TO252-3-11
  • الطاقة - الحد الأقصى 28 W
  • شحنة البوابة 8.6 nC
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 3.2 A
  • تيار المجمع النبضي (Icm) 3.5 A
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 1A
  • طاقة التبديل 140µJ
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 13ns/370ns
  • شرط الاختبار 800V, 1A, 241Ohm, 15V