NXH350N100H4Q2F2P1G

NXH350N100H4Q2F2P1G

Part Number: NXH350N100H4Q2F2P1G
Product Classification: وحدات IGBT
Manufacturer: onsemi
Description: IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Packaging: Tray
ROHS Status: Yes
Currency: USD
PDF: Documents

Specification

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • الحزمة / العلبة Module
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 1 mA
  • المدخلات Standard
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1000 V
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
  • نوع IGBT Trench Field Stop
  • تكوين Three Level Inverter
  • الطاقة - الحد الأقصى 276 W
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 303 A
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 24.146 nF @ 20 V
  • المورد الجهاز الحزمة 42-PIM/Q2PACK (93x47)
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 375A