RGS00TS65EHRC11
رقم القطعة:
RGS00TS65EHRC11
تصنيف المنتجات:
IGBTs الفردية
الشركة المصنعة:
ROHM Semiconductor
الوصف:
IGBT TRENCH FS 650V 88A TO-247N
التغليف:
Tube
حالة RoHS:
نعم
العملة:
USD
المواصفات
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- طاقة التبديل -
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار المجمع النبضي (Icm) 150 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- الطاقة - الحد الأقصى 326 W
- شرط الاختبار 400V, 50A, 10Ohm, 15V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 88 A
- المورد الجهاز الحزمة TO-247N
- شحنة البوابة 58 nC
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 36ns/115ns
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 113 ns