RGT50NS65DGC9
Part Number:
RGT50NS65DGC9
Product Classification:
IGBTs الفردية
Manufacturer:
ROHM Semiconductor
Description:
IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262
Packaging:
Tube
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
Specification
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 48 A
- طاقة التبديل -
- الحزمة / العلبة TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- المورد الجهاز الحزمة TO-262
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 58 ns
- شحنة البوابة 49 nC
- تيار المجمع النبضي (Icm) 75 A
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
- شرط الاختبار 400V, 25A, 10Ohm, 15V
- الطاقة - الحد الأقصى 194 W
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 27ns/88ns