VS-GT50TP120N

VS-GT50TP120N

رقم القطعة: VS-GT50TP120N
تصنيف المنتجات: وحدات IGBT
الشركة المصنعة: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
الوصف: IGBT MOD 1200V 100A INT-A-PAK
التغليف: Bulk
حالة RoHS: نعم
العملة: USD
بي دي إف: البيانات

المواصفات

  • حالة القطعة Obsolete
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
  • تكوين Half Bridge
  • المدخلات Standard
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
  • الحزمة / العلبة INT-A-PAK (3 + 4)
  • المورد الجهاز الحزمة INT-A-PAK
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 5 mA
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 100 A
  • درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
  • نوع IGBT Trench
  • الطاقة - الحد الأقصى 405 W
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 50A
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 6.24 nF @ 30 V