HGTP10N120BN

HGTP10N120BN

Número de pieza: HGTP10N120BN
Clasificación de productos: IGBTs individuales
Fabricante: onsemi
Descripción: IGBT NPT 1200V 35A TO-220-3
Embalaje: Tube
Estado de ROHS:
Moneda: USD

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Obsolete
  • Tipo de Montaje Through Hole
  • Paquete / Carcasa TO-220-3
  • Temperatura de Operación -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Proveedor Dispositivo Paquete TO-220-3
  • 输入类型 Standard
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • Potencia - Máx 298 W
  • Carga de Puerta 100 nC
  • Tipo de IGBT NPT
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm) 80 A
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 35 A
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C 23ns/165ns
  • Condición de Prueba 960V, 10A, 10Ohm, 15V
  • Energía de Conmutación 320µJ (on), 800µJ (off)