NXH160T120L2Q2F2S1G

NXH160T120L2Q2F2S1G

Número de pieza: NXH160T120L2Q2F2S1G
Clasificación de productos: Módulos IGBT
Fabricante: onsemi
Descripción: PIM POWER MODULE
Embalaje: Tray
Estado de ROHS:
Moneda: USD

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • Tipo de IGBT -
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入 Standard
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 500 µA
  • Termistor NTC Yes
  • Potencia - Máx 500 W
  • Configuración Three Level Inverter
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 181 A
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 160A
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 38.8 nF @ 25 V
  • Proveedor Dispositivo Paquete 56-PIM/Q2PACK (93x47)