NXH75M65L4Q1SG

NXH75M65L4Q1SG

Número de pieza: NXH75M65L4Q1SG
Clasificación de productos: Módulos IGBT
Fabricante: onsemi
Descripción: Q1PACK 75A 650V
Embalaje: Tray
Estado de ROHS:
Moneda: USD

Especificaciones

  • Estado de la Pieza Active
  • Tipo de Montaje Chassis Mount
  • Paquete / Carcasa Module
  • Configuración Half Bridge
  • 输入 Standard
  • Temperatura de Operación -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Termistor NTC Yes
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
  • Tipo de IGBT Trench Field Stop
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.) 300 µA
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 59 A
  • Potencia - Máx 86 W
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.22V @ 15V, 75A
  • Proveedor Dispositivo Paquete 56-PIM (93x47)
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 5.665 nF @ 30 V