AFGB40T65RQDN
Numéro de pièce :
AFGB40T65RQDN
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
onsemi
Description :
IGBT FIELD STOP 650V 68A TO-263
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-263 (D2PAK)
- Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Charge de grille 51 nC
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 160 A
- Temps de récupération inverse (trr) 52 ns
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 68 A
- Type d'IGBT Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 40A
- Puissance - Max 339.37 W
- Énergie de Commutation 470µJ (on), 420µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 21ns/77ns
- Condition de test 400V, 20A, 3Ohm, 15V