APT45GP120B2DQ2G
Numéro de pièce :
APT45GP120B2DQ2G
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
Microchip Technology
Description :
IGBT PT 1200V 113A
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Boîtier TO-247-3 Variant
- Type d'IGBT PT
- Puissance - Max 625 W
- Charge de grille 185 nC
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 113 A
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 170 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 45A
- Énergie de Commutation 900µJ (on), 905µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 18ns/100ns
- Condition de test 600V, 45A, 5Ohm, 15V