FF200R12KT3HOSA1
Numéro de pièce :
FF200R12KT3HOSA1
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
IGBT MODULE 1200V 1050W
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
- Type de montage Chassis Mount
- Statut de la pièce Not For New Designs
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Courant de collecteur de coupure (Max) 5 mA
- Fournisseur Dispositif Emballage Module
- Configuration 2 Independent
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 14 nF @ 25 V
- Puissance - Max 1050 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A