FS50R07N2E4B11BOSA1
Numéro de pièce :
FS50R07N2E4B11BOSA1
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
IGBT MODULE 650V 70A 190W
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 70 A
- Courant de collecteur de coupure (Max) 1 mA
- 输入 Standard
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
- Configuration Three Phase Inverter
- Fournisseur Dispositif Emballage Module
- Thermistance NTC Yes
- Puissance - Max 190 W
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3.1 nF @ 25 V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 50A