FS75R12W2T4B11BOMA1
Numéro de pièce :
FS75R12W2T4B11BOMA1
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
IGBT MOD 1200V 107A 375W
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Courant de collecteur de coupure (Max) 1 mA
- 输入 Standard
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
- Fournisseur Dispositif Emballage Module
- Thermistance NTC Yes
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 107 A
- Puissance - Max 375 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4.3 nF @ 25 V
- Configuration Full Bridge
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A