HGT1S10N120BNST
Numéro de pièce :
HGT1S10N120BNST
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
onsemi
Description :
IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Puissance - Max 298 W
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-263 (D2PAK)
- Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Charge de grille 100 nC
- Type d'IGBT NPT
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 80 A
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 35 A
- Td (on/off) @ 25°C 23ns/165ns
- Condition de test 960V, 10A, 10Ohm, 15V
- Énergie de Commutation 320µJ (on), 800µJ (off)