HGT1S12N60A4DS
Numéro de pièce :
HGT1S12N60A4DS
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
Fairchild Semiconductor
Description :
IGBT 600V 54A TO-263AB
Emballage :
Bulk
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 600 V
- 输入类型 Standard
- Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 96 A
- Temps de récupération inverse (trr) 30 ns
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
- Charge de grille 120 nC
- Puissance - Max 167 W
- Condition de test 390V, 12A, 10Ohm, 15V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 54 A
- Énergie de Commutation 55µJ (on), 50µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 17ns/96ns
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-263AB