HGTD1N120BNS9A
Numéro de pièce :
HGTD1N120BNS9A
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
onsemi
Description :
IGBT NPT 1200V 5.3A TO-252AA
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Puissance - Max 60 W
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Type d'IGBT NPT
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-252AA
- Charge de grille 14 nC
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 5.3 A
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 6 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
- Énergie de Commutation 70µJ (on), 90µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 15ns/67ns
- Condition de test 960V, 1A, 82Ohm, 15V