IGB50N65S5ATMA1
Numéro de pièce :
IGB50N65S5ATMA1
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- 输入类型 Standard
- Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 200 A
- Charge de grille 120 nC
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80 A
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Fournisseur Dispositif Emballage PG-TO263-3
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Puissance - Max 270 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 50A
- Condition de test 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V
- Énergie de Commutation 1.23mJ (on), 740µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 20ns/139ns