IKB30N65EH5ATMA1
Numéro de pièce :
IKB30N65EH5ATMA1
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Temps de récupération inverse (trr) 75 ns
- 输入类型 Standard
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 55 A
- Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 90 A
- Charge de grille 70 nC
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Fournisseur Dispositif Emballage PG-TO263-3
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
- Puissance - Max 188 W
- Énergie de Commutation 870µJ (on), 300µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 24ns/159ns
- Condition de test 400V, 30A, 22Ohm, 15V