NXH100B120H3Q0SG
Numéro de pièce :
NXH100B120H3Q0SG
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
- Configuration 2 Independent
- Courant de collecteur de coupure (Max) 200 µA
- Puissance - Max 186 W
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 61 A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 9.075 nF @ 20 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)