NXH100B120H3Q0STG
Numéro de pièce :
NXH100B120H3Q0STG
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50 A
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 50A
- Configuration 2 Independent
- Courant de collecteur de coupure (Max) 200 µA
- Puissance - Max 186 W
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 9.075 nF @ 20 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)