NXH100T120L3Q0S1NG
Numéro de pièce :
NXH100T120L3Q0S1NG
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Type d'IGBT -
- 输入 Standard
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Courant de collecteur de coupure (Max) 200 µA
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 54 A
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 75A
- Configuration Three Level Inverter
- Puissance - Max 122 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4877 pF @ 25 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)