NXH160T120L2Q2F2S1G
Numéro de pièce :
NXH160T120L2Q2F2S1G
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
PIM POWER MODULE
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Courant de collecteur de coupure (Max) 500 µA
- Thermistance NTC Yes
- Puissance - Max 500 W
- Configuration Three Level Inverter
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 181 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 160A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 38.8 nF @ 25 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 56-PIM/Q2PACK (93x47)