NXH200T120H3Q2F2SG
Numéro de pièce :
NXH200T120H3Q2F2SG
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Courant de collecteur de coupure (Max) 500 µA
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 330 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- Fournisseur Dispositif Emballage 56-PIM/Q2PACK (93x47)
- Puissance - Max 679 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 35.615 nF @ 25 V