NXH240B120H3Q1P1G
Numéro de pièce :
NXH240B120H3Q1P1G
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 80A
- Courant de collecteur de coupure (Max) 150 µA
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 92 A
- Configuration Three Level Inverter
- Fournisseur Dispositif Emballage 32-PIM (71x37.4)
- Puissance - Max 266 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 19082 pF @ 20 V