NXH240B120H3Q1PG

NXH240B120H3Q1PG

Numéro de pièce : NXH240B120H3Q1PG
Catégorie de produit : Modules IGBT
Fabricant : onsemi
Description : PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Emballage : Tray
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Statut de la pièce Active
  • Type de montage Chassis Mount
  • Boîtier Module
  • Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入 Standard
  • Thermistance NTC Yes
  • Courant de collecteur de coupure (Max) 400 µA
  • Type d'IGBT Trench Field Stop
  • Courant - Collecteur (Ic) (Max) 68 A
  • Configuration Triple, Dual - Common Source
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
  • Puissance - Max 158 W
  • Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 18.151 nF @ 20 V
  • Fournisseur Dispositif Emballage 32-PIM (71x37.4)