NXH350N100H4Q2F2S1G-R
Numéro de pièce :
NXH350N100H4Q2F2S1G-R
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
GEN1.5 1500V MASS MARKET
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Courant de collecteur de coupure (Max) 1 mA
- 输入 Standard
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1000 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Configuration Three Level Inverter
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 303 A
- Puissance - Max 592 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 24.146 nF @ 20 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 42-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 375A