NXH600B100H4Q2F2SG
Numéro de pièce :
NXH600B100H4Q2F2SG
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- 输入 Standard
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1000 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Courant de collecteur de coupure (Max) 10 µA
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Configuration Three Level Inverter
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 192 A
- Puissance - Max 511 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 13.256 nF @ 20 V
- Fournisseur Dispositif Emballage 44-PIM (93x47)