NXH75M65L4Q1SG
Numéro de pièce :
NXH75M65L4Q1SG
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
Q1PACK 75A 650V
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant de collecteur de coupure (Max) 300 µA
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 59 A
- Puissance - Max 86 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.22V @ 15V, 75A
- Fournisseur Dispositif Emballage 56-PIM (93x47)
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 5.665 nF @ 30 V