NXH80T120L3Q0S3G
Numéro de pièce :
NXH80T120L3Q0S3G
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 75 A
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Thermistance NTC Yes
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant de collecteur de coupure (Max) 300 µA
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 80A
- Fournisseur Dispositif Emballage 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
- Puissance - Max 188 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 18.15 nF @ 20 V