RGT30NS65DGC9
Numéro de pièce :
RGT30NS65DGC9
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Description :
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Emballage :
Tube
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Temps de récupération inverse (trr) 55 ns
- 输入类型 Standard
- Énergie de Commutation -
- Boîtier TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-262
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 30 A
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Charge de grille 32 nC
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 45 A
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 15A
- Condition de test 400V, 15A, 10Ohm, 15V
- Td (on/off) @ 25°C 18ns/64ns
- Puissance - Max 133 W