RGT8NL65DGTL
Numéro de pièce :
RGT8NL65DGTL
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Description :
IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- 输入类型 Standard
- Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Énergie de Commutation -
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 8 A
- Temps de récupération inverse (trr) 40 ns
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Puissance - Max 65 W
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 12 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
- Fournisseur Dispositif Emballage LPDS
- Charge de grille 13.5 nC
- Td (on/off) @ 25°C 17ns/69ns
- Condition de test 400V, 4A, 50Ohm, 15V