STGD6M65DF2
Numéro de pièce :
STGD6M65DF2
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
STMicroelectronics
Description :
IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
Emballage :
Cut Tape (CT)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
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Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Fournisseur Dispositif Emballage DPAK
- Boîtier TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Temps de récupération inverse (trr) 140 ns
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 24 A
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 12 A
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
- Puissance - Max 88 W
- Énergie de Commutation 36µJ (on), 200µJ (off)
- Charge de grille 21.2 nC
- Td (on/off) @ 25°C 15ns/90ns
- Condition de test 400V, 6A, 22Ohm, 15V