仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Chassis Mount
- パッケージ / ケース Module
- 動作温度 150°C (TJ)
- IGBTタイプ -
- パワー - 最大 200 W
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 1200 V
- コンフィギュレーション Half Bridge
- 输入 Standard
- NTCサーミスタ No
- サプライヤーデバイスパッケージ Module
- 入力容量（Cies）@ Vce 1.65 nF @ 25 V
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 3V @ 15V, 25A
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 38 A
- 電流 - コレクタ遮断（最大） 800 µA