HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

部品番号: HGT1S12N60A4DS
製品分類: 単一IGBT
製造業者: Fairchild Semiconductor
説明: IGBT 600V 54A TO-263AB
パッケージ: Bulk
ROHS状態: はい
通貨: USD
PDF: 資料

仕様

  • 部品ステータス Active
  • 実装タイプ Surface Mount
  • 動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • IGBTタイプ -
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 600 V
  • 输入类型 Standard
  • パッケージ / ケース TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 電流 - コレクタパルス (Icm) 96 A
  • 逆回復時間(trr) 30 ns
  • Vce(オン)(最大)@ Vge、Ic 2.7V @ 15V, 12A
  • ゲートチャージ 120 nC
  • パワー - 最大 167 W
  • 試験条件 390V, 12A, 10Ohm, 15V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大) 54 A
  • スイッチングエネルギー 55µJ (on), 50µJ (off)
  • Td (オン/オフ) @ 25°C 17ns/96ns
  • サプライヤーデバイスパッケージ TO-263AB