IGB50N65H5ATMA1
部品番号：
IGB50N65H5ATMA1
製品分類：
単一IGBT
製造業者：
Infineon Technologies
説明：
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO263-3
パッケージ：
Cut Tape (CT)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Surface Mount
- 输入类型 Standard
- パッケージ / ケース TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- ゲートチャージ 120 nC
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 80 A
- 電流 - コレクタパルス (Icm) 150 A
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
- サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 50A
- パワー - 最大 270 W
- 試験条件 400V, 50A, 12Ohm, 15V
- スイッチングエネルギー 1.59mJ (on), 750µJ (off)
- Td (オン/オフ) @ 25°C 23ns/173ns