RGT8BM65DGTL1
部品番号：
RGT8BM65DGTL1
製品分類：
単一IGBT
製造業者：
ROHM Semiconductor
説明：
IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-252GE
パッケージ：
Cut Tape (CT)
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Surface Mount
- グレード -
- 認定 -
- 输入类型 Standard
- パッケージ / ケース TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- スイッチングエネルギー -
- 逆回復時間（trr） 40 ns
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 12 A
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- パワー - 最大 62 W
- 電流 - コレクタパルス (Icm) 12 A
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 4A
- ゲートチャージ 13.5 nC
- Td (オン/オフ) @ 25°C 17ns/69ns
- 試験条件 400V, 4A, 50Ohm, 15V
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-252GE