RGW80TK65EGVC11
部品番号：
RGW80TK65EGVC11
製品分類：
単一IGBT
製造業者：
ROHM Semiconductor
説明：
IGBT TRENCH FS 650V 39A TO-3PFM
パッケージ：
Tube
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 実装タイプ Through Hole
- 部品ステータス Active
- 输入类型 Standard
- 電流 - コレクタパルス (Icm) 160 A
- ゲートチャージ 110 nC
- 動作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧 650 V
- IGBTタイプ Trench Field Stop
- 試験条件 400V, 40A, 10Ohm, 15V
- パワー - 最大 81 W
- サプライヤーデバイスパッケージ TO-3PFM
- 逆回復時間（trr） 102 ns
- Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic 1.9V @ 15V, 40A
- パッケージ / ケース TO-3PFM, SC-93-3
- コレクタ電流 (Ic) (最大) 39 A
- スイッチングエネルギー 760µJ (on), 720µJ (off)
- Td (オン/オフ) @ 25°C 44ns/143ns