FF900R12IE4VPBOSA1
Номер детали:
FF900R12IE4VPBOSA1
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IGBT MOD 1200V 900A 20MW
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C
- Ток отсечки коллектора (макс.) 5 mA
- Поставщик Устройство Корпус Module
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 900 A
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 900A
- Входная емкость (Cies) при Vce 54 nF @ 25 V