FP50R12N2T7PBPSA1
Номер детали:
FP50R12N2T7PBPSA1
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Конфигурация Three Phase Inverter
- Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- 输入 Three Phase Bridge Rectifier
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Поставщик Устройство Корпус AG-ECONO2B
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 25A
- Входная емкость (Cies) при Vce 11.1 nF @ 25 V
- Ток отсечки коллектора (макс.) 4 µA