FS75R12W2T4B11BOMA1
Номер детали:
FS75R12W2T4B11BOMA1
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IGBT MOD 1200V 107A 375W
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Ток отсечки коллектора (макс.) 1 mA
- 输入 Standard
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C
- Поставщик Устройство Корпус Module
- NTC Термистор Yes
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 107 A
- Мощность - Максимальная 375 W
- Входная емкость (Cies) при Vce 4.3 nF @ 25 V
- Конфигурация Full Bridge
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 75A