GH50H65DRB2-7AG
Part Number:
GH50H65DRB2-7AG
Product Classification:
IGBTs الفردية
Manufacturer:
STMicroelectronics
Description:
IGBT
Packaging:
Bulk
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
PDF:
Documents
Specification
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q101
- الحزمة / العلبة TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع النبضي (Icm) 200 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A
- شرط الاختبار 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
- الطاقة - الحد الأقصى 385 W
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 108 A
- المورد الجهاز الحزمة H2PAK-7
- شحنة البوابة 152 nC
- طاقة التبديل 557µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية -/117ns
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 912 ns